簡要描述:鈣鈦礦鍍膜設(shè)備主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。
功能特點(diǎn) |
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技術(shù)參數(shù) | |
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鍍膜室 | 不銹鋼材料,采用方形前后開門結(jié)構(gòu),內(nèi)帶有防污板,腔室尺寸約為600mm×450mm×450mm |
真空排氣系統(tǒng) | 采用分子泵+機(jī)械泵系統(tǒng) |
真空度 | 鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa |
系統(tǒng)漏率 | ≤1×10-7Pa |
蒸發(fā)源 | 安裝在真空室的下底上;有機(jī)蒸發(fā)源4個(gè)、容積5ml,2臺蒸發(fā)電源,可測溫、控溫,加熱溫度400℃,功率0.5KW;無機(jī)蒸發(fā)源4套、容積5ml,2臺蒸發(fā)電源,加熱電流300A,功率3.2KW;蒸發(fā)源擋板采用自動磁力控制方式控制其開啟 |
樣品架 | 安裝在真空室的上蓋上,可放置Ø120mm的樣品、載玻片,旋轉(zhuǎn)速度0-30rpm |
加熱溫度 | RT-180℃,測溫、控溫 |
膜厚控制儀 | 石英晶振膜厚控制儀,膜厚測量范圍0-999999Å |